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单片机ARM解码利器 100M逻辑分析仪

更新时间:2010-01-01 00:00:00
价格:¥350/
类型:仿真器
品牌:100M逻辑分析仪
型号:100M逻辑分析仪
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支持官方软件更新 耐压正负50v

特别提醒:不是所有打着“完美版”标志的产品都是完美版,请认准我们的完美版,不存在干扰、杂波等任何问题,性能超越原装,来自高品质的研发和高质量生产的完美版。

世界首款300mbit实时带宽分析仪

比较传统逻辑分析仪Zui大优势:

    传统逻辑分析仪深度都很低,采集时间都很短,虽然部分逻辑分析仪采用所谓的“高压缩率”模式进行压缩,实际上采用的是用空间换时间的概念,这种用法对于低速信号有效,对于高速信号没有任何效果,失去了高采样率的意义。

    举个例子,用1m的存储空间,他会分出来512k保存信号状态,另外512k保存信号变化的时间,100m采样率的话,假如采集3个通道,每个通道是25m的信号,任何一个通道变化,都要保存一次,那512k的话,只能保存大概512k/(25*3m) = 6.8ms的数据,如果16通道并行采集,任何一个通道变化都会保存一次,那存储时间大大降低,传统分析仪存储器都比1m低的多,保存时间一般是us级别........只有每个通道信号变化很慢的时候,才可以很久存储一次,采集很长时间,那100m采样还有啥用呢,用1m采样率慢慢采呗。

     而saleae16用100m采集3个通道25m的信号,是将数据实时送入电脑内存,300mbit的速度(usb2.0极限速度是480mbit),我们的电脑内存怎么地也上g的存储深度,只要电脑内存大,存储时间Zui高到100秒.....而如果信号变化慢,1m采样率可以保存10000秒。

    所谓的压缩模式,只对低速率信号有用,高速信号使用压缩模式甚至比不压缩采集时间还短,因为压缩本身就用了大块的存储空间去存时间变化量的那个时间参数。

如果要使用低速的24m采样的saleae8,可以购买我们店铺里边的两款低价saleae8

简易版36元:#

 有朋友问saleae16和usbee dx 逻辑分析仪的区别,usbee dx是8通道24mZui高采样,16通道12mZui高采样率,而saleae是3通道100m,6通道50m,9通道32m,16通道16mZui高采样。并且usbee dx的算法没有使用压缩算法,因此深度较低,采集的时间很短,而saleae16使用的是压缩算法,Zui大深度可以到10g。

     

 功能特点:

1、saleae逻辑分析仪,是我所用过的逻辑分析仪界面Zui人性化Zui容易使用的一款逻辑分析仪,大家可以去看看手册了解。

2、saleae16采用资源动态复用技术,可以实现3通道100m采样率,6通道50m采样率,9通道32m采用率和16通道16mZui高采样率,要求电脑usb口必须2.0。

3、saleae16采样数据实时送入电脑,您的电脑内存大小就是这个设备的存储器,并且采用压缩算法,数据变化才保存,软件深度Zui高可以达到10g。

4、saleae16可以自动分析uart、iic、spi、dmx-512、jtag等多达14种通信协议,除了显示波形外,直接显示数据大小。

5、saleae16可以把数据显示为10进制、16进制、2进制、ascii码等多种格式,方便您分析数据。

6、非常实用的触发设置,可以从自己想要的数据部分开始抓取。

●公司宗旨:
只做,拒绝假货!!


客户配单: 专业配单,优质服务,为您提供一站式采购服务

 

 

          场效应管工作原理用一句话说,就是“漏极-源极间流经沟道的id,用以栅极与沟道间的pn结形成的反偏的栅极电压控制id”。更正确地说,id流经通路的宽度,即沟道截面积,它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。在vgs=0的非饱和区域,表示的过渡层的扩展因为不很大,根据漏极-源极间所加vds的电场,源极区域的某些电子被漏极拉去,即从漏极向源极有电流id流动。从门极向漏极扩展的过度层将沟道的一部分构成堵塞型,id饱和。将这种状态称为夹断。这意味着过渡层将沟道的一部分阻挡,并不是电流被切断。
在过渡层由于没有电子、空穴的自由移动,在理想状态下几乎具有绝缘特性,通常电流也难流动。但是此时漏极-源极间的电场,实际上是两个过渡层接触漏极与门极下部附近,由于漂移电场拉去的高速电子通过过渡层。因漂移电场的强度几乎不变产生id的饱和现象。其次,vgs向负的方向变化,让vgs=vgs(off),此时过渡层大致成为覆盖全区域的状态。而且vds的电场大部分加到过渡层上,将电子拉向漂移方向的电场,只有靠近源极的很短部分,这更使电流不能流通。
mos场效应管电源开关电路
mos场效应管也被称为金属氧化物半导体场效应管(metaloxidesemiconductor fieldeffect transistor, mosfet)。它一般有耗尽型和增强型两种。增强型mos场效应管可分为npn型pnp型。npn型通常称为n沟道型,pnp型也叫p沟道型。对于n沟道的场效应管其源极和漏极接在n型半导体上,同样对于p沟道的场效应管其源极和漏极则接在p型半导体上。场效应管的输出电流是由输入的电压(或称电场)控制,可以认为输入电流极小或没有输入电流,这使得该器件有很高的输入阻抗,同时这也是我们称之为场效应管的原因。
在二极管加上正向电压(p端接正极,n端接负极)时,二极管导通,其pn结有电流通过。这是因为在p型半导体端为正电压时,n型半导体内的负电子被吸引而涌向加有正电压的p型半导体端,而p型半导体端内的正电子则朝n型半导体端运动,从而形成导通电流。同理,当二极管加上反向电压(p端接负极,n端接正极)时,这时在p型半导体端为负电压,正电子被聚集在p型半导体端,负电子则聚集在n型半导体端,电子不移动,其pn结没有电流通过,二极管截止。在栅极没有电压时,由前面分析可知,在源极与漏极之间不会有电流流过,此时场效应管处与截止状态(图7a)。当有一个正电压加在n沟道的mos场效应管栅极上时,由于电场的作用,此时n型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来而涌向栅极,但由于氧化膜的阻挡,使得电子聚集在两个n沟道之间的p型半导体中(见图7b),从而形成电流,使源极和漏极之间导通。可以想像为两个n型半导体之间为一条沟,栅极电压的建立相当于为它们之间搭了一座桥梁,该桥的大小由栅压的大小决定。
c-mos场效应管(增强型mos场效应管)
电路将一个增强型p沟道mos场效应管和一个增强型n沟道mos场效应管组合在一起使用。当输入端为低电平时,p沟道mos场效应管导通,输出端与电源正极接通。当输入端为高电平时,n沟道mos场效应管导通,输出端与电源地接通。在该电路中,p沟道mos场效应管和n沟道mos场效应管总是在相反的状态下工作,其相位输入端和输出端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响,使得栅压在还没有到0v,通常在栅极电压小于1到2v时,mos场效应管既被关断。不同场效应管其关断电压略有不同。也正因为如此,使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。

详细参数正在更新中,如有急需,可直接联系我司工作人员:0755-83013949

 

 

 

深 圳 市  西  联 威  科 技 有 限 公 司

shenzhen  xilianwei  technology co., ltd

     

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本产品的类型是仿真器,品牌是100M逻辑分析仪,型号是100M逻辑分析仪,封装是个,批号是15+

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